Pracownia Jonowej i Plazmowej Modyfikacji Materiałów

Kierownik Pracowni: dr inż. Marek Barlak

E-mail: marek.barlak@ncbj.gov.pl

Plazmowa Inżynieria Powierzchni

Tematyka Prac:

  • Wieloaspektowa problematyka impulsowego dozowania energii w procesach plazmowych
  • Syntezy i charakteryzacja warstw różnych materiałów otrzymywanych z wykorzystaniem technologii plazmowych inżynierii powierzchni
  • Rozwój technik plazmowej inżynierii powierzchni ze specjalnym uwzględnieniem procesów o charakterze impulsowym

Modyfikacja Materiałów Wiązkami Plazmowo-Jonowymi

Tematyka Prac:

  • Modyfikacja powierzchni materiałów wiązkami jonowymi, plazmowymi i elektronowymi
  • Synteza struktur nierównowagowych
  • Synteza nowych materiałów

Wyposażenie badawcze pracowni:

Urządzenia technologiczne

  • Rozpylanie magnetronowe (Magnetron Sputtering):
    Pulse Magnetron Sputtering (PMS) i Gas Injection Magnetron Sputtering (GIMS)

Pulse Magnetron Sputtering (PMS) i Gas Injection Magnetron Sputtering (GIMS)
PMS- Układ wielomagnetronowy

  • Wyładowanie łukowe w ultra wysokiej próżni - arc UHV - układ z płaską katodą

Układy z płaska katodą do napylania łukiem katodowym Układy z płaska katodą do napylania łukiem katodowym
Układy z płaska katodą do napylania łukiem katodowym

 

  • Naparowanie próżniowe

Naparowanie próżniowe Naparowanie próżniowe

 

  • Implantatory jonów metalicznych typu MEVVA

•	Wysokoprądowe implantatory jonów metalicznych typu MEVVAWysokoprądowe implantatory jonów metalicznych typu MEVVA

 

  • Półprzemysłowy implantator  jonów gazowych

Półprzemysłowy implantator jonów gazowych Półprzemysłowy implantator jonów gazowych

 

  • Działo elektronowe

Działo elektronowe Działo elektronowe

 

  • Działo plazmowe IBIS typu RPI

Działo plazmowe IBIS typu RPI Działo plazmowe IBIS typu RPI

Stanowiska charakteryzacji materiałów

  • Mikroskop skaningowy z analizatorem EDS + stanowisko do preparatyki próbek

•	Mikroskop skaningowy z analizatorem EDS + stanowisko do preparatyki próbe

Stanowisko 1 Stanowisko 2

Stanowisko 3 Stanowisko 4

 

  • Tribotester typu tarcza-kula

Tribotester 1 Tribotester 2

 

  • Profilometr

Profilometr

 

  • Stanowisko UHV to badania kwantowej wydajności fotokatod

Komora UHV i system mocowania układu fotokatoda- kubek Faraday’a
Komora UHV – widok ogólny;                       System mocowania układu fotokatoda- kubek Faraday’a

 

Pulse Magnetron Sputtering (PMS) i Gas Injection Magnetron Sputtering (GIMS)
Układy z płaska katodą do napylania łukiem katodowym
Układy z płaska katodą do napylania łukiem katodowym
Naparowanie próżniowe
Naparowanie próżniowe
Wysokoprądowe implantatory jonów metalicznych typu MEVVA
Wysokoprądowe implantatory jonów metalicznych typu MEVVA
Półprzemysłowy implantator jonów gazowych
Półprzemysłowy implantator jonów gazowych
Działo elektronowe
Działo elektronowe
Działo plazmowe IBIS typu RPI
Działo plazmowe IBIS typu RPI
•	Mikroskop skaningowy z analizatorem EDS + stanowisko do preparatyki próbe
Stanowisko 1
Stanowisko 2
Stanowisko 3
Stanowisko 4
Tribotester 1
Tribotester 2
Profilometr
Komora UHV i system mocowania układu fotokatoda- kubek Faraday’a